| номер части | BLP8G10S-45PGJ |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS |
| частота | 700MHz ~ 1GHz |
| Усиление | 21dB |
| Напряжение - испытание | - |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | - |
| Выходная мощность | 45W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 28V |
| Упаковка / чехол | SOT-1223-1 |
| Пакет устройств поставщика | 4-HSOPF |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BLP8G05S-200GY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 | 0 | подробности | |
 |
BLP8G05S-200Y | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | 100 | подробности | |
 |
BLP8G10S-270PWY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | 94 | подробности | |
 |
BLP8G10S-45PGJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOP | 0 | подробности | |
 |
BLP8G10S-45PGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | 100 | подробности | |
 |
BLP8G10S-45PJ | NXP USA Inc. | TRANS LDMOS 45W 4HSOPF | 0 | подробности | |
 |
BLP8G10S-45PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 | 0 | подробности | |
 |
BLP8G20S-80PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | 0 | подробности | |
 |
BLP8G21S-160PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 | 100 | подробности | |
 |
BLP8G27-10Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | 0 | подробности | |
 |
BLP8G27-5Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | 0 | подробности |
