Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ BLF4G20LS-110B,112

номер части: BLF4G20LS-110B,112
производитель: NXP USA Inc.
Описание: FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLF4G20LS-110B,112.pdf BLF4G20LS-110B,112 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLF4G20LS-110B,112
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS
частота	1.93GHz ~ 1.99GHz
Усиление	13.4dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	12A
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	650mA
Выходная мощность	100W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-502B
Пакет устройств поставщика	SOT502B

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BLF4G20-110B,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A	подробности
BLF4G20LS-110B,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B	подробности
BLF4G20LS-130,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B	подробности
BLF4G20S-110B,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B	подробности
BLF4G22LS-130,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B	подробности
BLF4G22S-100,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B	подробности