Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ AFT23H160-25SR3

номер части: AFT23H160-25SR3
производитель: NXP USA Inc.
Описание: IC TRANS RF LDMOS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: AFT23H160-25SR3.pdf AFT23H160-25SR3 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	AFT23H160-25SR3
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS (Dual)
частота	2.3GHz
Усиление	16.7dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	450mA
Выходная мощность	32W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	NI-880X-4L4S-8
Пакет устройств поставщика	NI-880X-4L4S-8

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
AFT23H160-25SR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS		0	подробности
AFT23H200-4S2LR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4		0	подробности
AFT23H201-24SR6	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	-	20576	подробности
AFT23S160W02GSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.4GHZ		0	подробности
AFT23S160W02SR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2		0	подробности
AFT23S170-13SR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2L4S		0	подробности