A2T18S166W12SR3

FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2
A2T18S166W12SR3 P1
A2T18S166W12SR3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2T18S166W12SR3

номер части
A2T18S166W12SR3
производитель
NXP USA Inc.
Описание
FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- A2T18S166W12SR3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части A2T18S166W12SR3
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 1.805GHz ~ 1.995GHz
Усиление -
Напряжение - испытание -
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест -
Выходная мощность 38W
Напряжение - Номинальное напряжение 28V
Упаковка / чехол NI-780-2S2L
Пакет устройств поставщика NI-780-2S2L

сопутствующие товары

Все продукты