BOM

A2I25D012GNR1

IC RF LDMOS AMP 15TO270
Главная › Категории продукта › RF / IF и RFID › Усилители RF › A2I25D012GNR1
A2I25D012GNR1 P1
A2I25D012GNR1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2I25D012GNR1

номер части
A2I25D012GNR1
производитель
NXP USA Inc.
Описание
IC RF LDMOS AMP 15TO270
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
A2I25D012GNR1.pdf A2I25D012GNR1 PDF online browsing
семья
Усилители RF
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части A2I25D012GNR1
Статус детали Active
частота 2.3GHz ~ 2.69GHz
P1dB 12dBm
Усиление 33dB
Коэффициент шума -
Тип RF W-CDMA
Напряжение - Поставка 26 V ~ 32 V
Текущий - поставка 110mA
Частота испытаний 2.3GHz
Упаковка / чехол TO-270-15 Variant, Gull Wing
Пакет устройств поставщика TO-270WBG-15

сопутствующие товары

Все продукты

Образ номер части Производители Описание PDF В наличии Посмотреть
A2I25D012GNR1 A2I25D012GNR1 NXP USA Inc. IC RF LDMOS AMP 15TO270 0 подробности
A2I25D012NR1 A2I25D012NR1 NXP USA Inc. IC RF LDMOS AMP 15TO270 0 подробности
A2I25D025GNR1 A2I25D025GNR1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 0 подробности
A2I25D025NR1 A2I25D025NR1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 0 подробности
A2I25H060GNR1 A2I25H060GNR1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS 0 подробности
A2I25H060NR1 A2I25H060NR1 NXP USA Inc. IC RF LDMOS AMP 0 подробности