Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Nexperia USA Inc. ~ PDTB143EQAZ

номер части: PDTB143EQAZ
производитель: Nexperia USA Inc.
Описание: TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: PDTB143EQAZ.pdf PDTB143EQAZ PDF online browsing
семья: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

номер части	PDTB143EQAZ
Статус детали	Active
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	500mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	50V
Резистор - основание (R1) (Ом)	4.7k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом)	4.7k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	60 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	100mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	500nA
Частота - переход	150MHz
Мощность - макс.	325mW
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	3-XDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика	DFN1010D-3

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
PDTB113EK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3	0	подробности
PDTB113EQAZ	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 3DFN	0	подробности
PDTB113ES,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3	0	подробности
PDTB113ET,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB	0	подробности
PDTB113EUF	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 0.425W	0	подробности
PDTB113EUX	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 0.425W	0	подробности
PDTB113ZK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3	0	подробности
PDTB113ZQAZ	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 3DFN	0	подробности
PDTB113ZS,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3	0	подробности
PDTB113ZT,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB	3000	подробности
PDTB113ZUF	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 0.425W	0	подробности
PDTB113ZUX	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 0.425W	0	подробности