| номер части | JAN2N1613 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | NPN |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 500mA |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 30V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic | 1.5V @ 15mA, 150mA |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 10µA (ICBO) |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Мощность - макс. | 800mW |
| Частота - переход | - |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Пакет устройств поставщика | TO-39 (TO-205AD) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
 |
JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | подробности |
|
JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
