APTGT50SK170D1G

IGBT 1700V 70A 310W D1
APTGT50SK170D1G P1
APTGT50SK170D1G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGT50SK170D1G

номер части
APTGT50SK170D1G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
IGBT 1700V 70A 310W D1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGT50SK170D1G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGT50SK170D1G
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 70A
Мощность - макс. 310W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 6mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол D1
Пакет устройств поставщика D1

сопутствующие товары

Все продукты