APTGT50DH120T3G

MOD IGBT 1200V 75A SP3
APTGT50DH120T3G P1
APTGT50DH120T3G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGT50DH120T3G

номер части
APTGT50DH120T3G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
MOD IGBT 1200V 75A SP3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGT50DH120T3G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGT50DH120T3G
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Asymmetrical Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 75A
Мощность - макс. 277W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.6nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SP3
Пакет устройств поставщика SP3

сопутствующие товары

Все продукты