APTGLQ50H65T1G

POWER MODULE - IGBT
APTGLQ50H65T1G P1
APTGLQ50H65T1G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGLQ50H65T1G

номер части
APTGLQ50H65T1G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
POWER MODULE - IGBT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGLQ50H65T1G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGLQ50H65T1G
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 70A
Мощность - макс. 175W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 50µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика SP1

сопутствующие товары

Все продукты