| номер части | APT50GS60BRDQ2G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | NPT |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 600V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 93A |
| Текущий - коллектор импульсный (Icm) | 195A |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 50A |
| Мощность - макс. | 415W |
| Энергия переключения | 755µJ (off) |
| Тип ввода | Standard |
| Ворота затвора | 235nC |
| Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C | 16ns/225ns |
| Условия тестирования | 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V |
| Время обратного восстановления (trr) | 25ns |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 [B] |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | - | 32 | подробности |
 |
APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | - | 0 | подробности |
 |
APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | - | 63 | подробности |
 |
APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | - | 23 | подробности |
 |
APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | - | 49 | подробности |
 |
APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | - | 2 | подробности |
 |
APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | - | 83 | подробности |
 |
APT5010LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | - | 69 | подробности |
 |
APT5012JN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP | 0 | подробности | |
|
APT5014B2VRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V T-MAX | - | 0 | подробности |
 |
APT5014BLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 | - | 7 | подробности |
 |
APT5014SLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK | - | 0 | подробности |
