| номер части | APT40GP60SG |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип IGBT | PT |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 600V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 100A |
| Текущий - коллектор импульсный (Icm) | 160A |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Мощность - макс. | 543W |
| Энергия переключения | 385µJ (on), 352µJ (off) |
| Тип ввода | Standard |
| Ворота затвора | 135nC |
| Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C | 20ns/64ns |
| Условия тестирования | 400V, 40A, 5 Ohm, 15V |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Пакет устройств поставщика | D3 [S] |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | подробности | |
|
APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | подробности | |
|
APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | - | 0 | подробности |
|
APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | - | 0 | подробности |
 |
APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | - | 5 | подробности |
 |
APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | - | 0 | подробности |
 |
APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | 0 | подробности | |
 |
APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | - | 2905 | подробности |
 |
APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | 0 | подробности | |
 |
APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | - | 355 | подробности |
 |
APT40DQ60BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247 | - | 255 | подробности |
 |
APT40DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 40A TO247 | - | 2581 | подробности |
