APT25GN120B2DQ2G

IGBT 1200V 67A 272W TMAX
APT25GN120B2DQ2G P1
APT25GN120B2DQ2G P2
APT25GN120B2DQ2G P1
APT25GN120B2DQ2G P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APT25GN120B2DQ2G

номер части
APT25GN120B2DQ2G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APT25GN120B2DQ2G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Single
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APT25GN120B2DQ2G
Статус детали Active
Тип IGBT NPT, Trench Field Stop
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 67A
Текущий - коллектор импульсный (Icm) 75A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Мощность - макс. 272W
Энергия переключения 2.15µJ (off)
Тип ввода Standard
Ворота затвора 155nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C 22ns/280ns
Условия тестирования 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr) -
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол TO-247-3 Variant
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты