| номер части | APT10SCE120B |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип диода | Silicon Carbide Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 1200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 43A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.8V @ 10A |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 200µA @ 1200V |
| Емкость @ Vr, F | 630pF @ 1V, 1MHz |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-247-2 |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | подробности | |
|
APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | подробности | |
 |
APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | подробности |
 |
APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | подробности |
|
APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | подробности |
 |
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 3 | подробности |
 |
APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | подробности |
 |
APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | - | 0 | подробности |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | - | 7 | подробности |
 |
APT1003RBLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | - | 30 | подробности |
 |
APT1003RKLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | 0 | подробности | |
 |
APT10045B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | - | 6 | подробности |
