2N5012

NPN SILICON TRANSISTOR
2N5012 P1
2N5012 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ 2N5012

номер части
2N5012
производитель
Microsemi Corporation
Описание
NPN SILICON TRANSISTOR
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- 2N5012 PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части 2N5012
Статус детали Obsolete
Тип транзистора NPN
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 200mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 700V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic -
Ток - отсечка коллектора (макс.) 10nA (ICBO)
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 30 @ 25mA, 10V
Мощность - макс. 1W
Частота - переход -
Рабочая Температура -65°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Пакет устройств поставщика TO-5

сопутствующие товары

Все продукты