MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

IC FLASH 1.125T PARALLEL VBGA
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B P1
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Micron Technology Inc. ~ MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

номер части
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
производитель
Micron Technology Inc.
Описание
IC FLASH 1.125T PARALLEL VBGA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MT29E1T208ECHBBJ4-3:B PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
Статус детали Active
Тип памяти Non-Volatile
Формат памяти FLASH
Технологии FLASH - NAND
Размер памяти 1.125Tb (144G x 8)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница -
Время доступа -
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 2.5V ~ 3.6V
Рабочая Температура 0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты