JS28F00AM29EBHB TR

IC FLASH NOR 1GBIT
JS28F00AM29EBHB TR P1
JS28F00AM29EBHB TR P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Micron Technology Inc. ~ JS28F00AM29EBHB TR

номер части
JS28F00AM29EBHB TR
производитель
Micron Technology Inc.
Описание
IC FLASH NOR 1GBIT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- JS28F00AM29EBHB TR PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части JS28F00AM29EBHB TR
Статус детали Active
Тип памяти Non-Volatile
Формат памяти FLASH
Технологии FLASH - NOR
Размер памяти 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница 110ns
Время доступа 110ns
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 2.7 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты