IXTR16P60P

MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
IXTR16P60P P1
IXTR16P60P P2
IXTR16P60P P1
IXTR16P60P P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IXYS ~ IXTR16P60P

номер части
IXTR16P60P
производитель
IXYS
Описание
MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IXTR16P60P PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IXTR16P60P
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 92nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 5120pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 190W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 790 mOhm @ 8A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика ISOPLUS247™
Упаковка / чехол ISOPLUS247™

сопутствующие товары

Все продукты