номер части | IXTP1R4N120P |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 1200V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.4A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 24.8nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 666pF @ 25V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 86W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 13 Ohm @ 500mA, 10V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
Упаковка / чехол | TO-220-3 |