| номер части | IXFH67N10 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 67A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 4500pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 33.5A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-247AD (IXFH) |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXF611P1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP | - | 0 | подробности |
 |
IXF611S1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
IXF611S1T/R | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
IXFA102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
IXFA10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK | - | 142 | подробности |
 |
IXFA10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 | - | 0 | подробности |
 |
IXFA110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
IXFA12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK | 0 | подробности | |
 |
IXFA12N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 27614 | подробности |
 |
IXFA130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
IXFA130N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA | - | 0 | подробности |
 |
IXFA130N15X3 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 12123 | подробности |
