Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ PTFA191001EV4XWSA1

номер части: PTFA191001EV4XWSA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: PTFA191001EV4XWSA1.pdf PTFA191001EV4XWSA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	PTFA191001EV4XWSA1
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS
частота	1.96GHz
Усиление	17dB
Напряжение - испытание	30V
Текущий рейтинг	10µA
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	900mA
Выходная мощность	44dBm
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	2-Flatpack, Fin Leads
Пакет устройств поставщика	H-36248-2

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
PTFA190451EV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2		подробности
PTFA190451EV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2		подробности
PTFA190451FV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2		подробности
PTFA190451FV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-37265-2		подробности
PTFA191001EV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2		подробности
PTFA191001EV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2		подробности
PTFA191001F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2		подробности
PTFA191001F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2		подробности
PTFA192001E1V4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC RF POWER TRANSISTOR	-	подробности
PTFA192001E1V4XWSA1	Infineon Technologies	FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2	-	подробности
PTFA192001EV4R0XTMA1	Infineon Technologies	RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2	-	подробности
PTFA192001EV4R250XTMA1	Infineon Technologies	FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2	-	подробности