IRG8CH29K10F

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
IRG8CH29K10F P1
IRG8CH29K10F P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRG8CH29K10F

номер части
IRG8CH29K10F
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRG8CH29K10F.pdf IRG8CH29K10F PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Single
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRG8CH29K10F
Статус детали Obsolete
Тип IGBT -
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) -
Текущий - коллектор импульсный (Icm) -
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A
Мощность - макс. -
Энергия переключения -
Тип ввода Standard
Ворота затвора 160nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C 40ns/245ns
Условия тестирования 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr) -
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол Die
Пакет устройств поставщика Die

сопутствующие товары

Все продукты