IRF7702GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
IRF7702GTRPBF P1
IRF7702GTRPBF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRF7702GTRPBF

номер части
IRF7702GTRPBF
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRF7702GTRPBF.pdf IRF7702GTRPBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRF7702GTRPBF
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 81nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3470pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±8V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.5W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 8A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-TSSOP
Упаковка / чехол 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты