IPW60R037P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
IPW60R037P7XKSA1 P1
IPW60R037P7XKSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPW60R037P7XKSA1

номер части
IPW60R037P7XKSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IPW60R037P7XKSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPW60R037P7XKSA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 76A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1.48mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 121nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 5243pF @ 400V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 255W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 29.5A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO247-3
Упаковка / чехол TO-247-3

сопутствующие товары

Все продукты