| номер части | IPN95R1K2P7ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 950V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 140µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 478pF @ 400V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 7W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT223 |
| Упаковка / чехол | TO-261-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 6A SOT223 | - | 103929 | подробности |
 |
IPN95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 4A SOT223 | - | 131591 | подробности |
 |
IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 2A SOT223 | - | 157206 | подробности |
