IPI120N06S4H1AKSA2

MOSFET N-CH TO262-3
IPI120N06S4H1AKSA2 P1
IPI120N06S4H1AKSA2 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPI120N06S4H1AKSA2

номер части
IPI120N06S4H1AKSA2
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH TO262-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPI120N06S4H1AKSA2.pdf IPI120N06S4H1AKSA2 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPI120N06S4H1AKSA2
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 270nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 21900pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO262-3-1
Упаковка / чехол TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

сопутствующие товары

Все продукты