Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD50R3K0CEBTMA1

номер части	IPD50R3K0CEBTMA1
Статус детали	Not For New Designs
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	13V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 30µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	4.3nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	84pF @ 100V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	18W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 400mA, 13V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
IPD50R1K4CEAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252		0	подробности
IPD50R1K4CEBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252	-	0	подробности
IPD50R280CE	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252		0	подробности
IPD50R280CEATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252		0	подробности
IPD50R280CEAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252		0	подробности
IPD50R280CEBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252	-	12100	подробности
IPD50R2K0CEAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252		0	подробности
IPD50R2K0CEBTMA1	Infineon Technologies	CONSUMER		0	подробности
IPD50R380CE	Infineon Technologies	MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252		0	подробности
IPD50R380CEATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252		0	подробности
IPD50R380CEAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET NCH 500V 14.1A TO252		0	подробности
IPD50R380CEBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252	-	6626	подробности