Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD50N03S207ATMA1

номер части	IPD50N03S207ATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 85µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	68nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2000pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	136W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	7.3 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
IPD50N03S207ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	-	подробности
IPD50N03S2L06ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	-	подробности
IPD50N03S4L06ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3		подробности
IPD50N04S3-08	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3	-	подробности
IPD50N04S308ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3	-	подробности
IPD50N04S309ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3	-	подробности
IPD50N04S408ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313	-	подробности
IPD50N04S410ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313	-	подробности
IPD50N04S4L08ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313	-	подробности
IPD50N06S214ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3	-	подробности
IPD50N06S214ATMA2	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3		подробности
IPD50N06S2L13ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3	-	подробности