Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD060N03LGATMA1

номер части: IPD060N03LGATMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPD060N03LGATMA1.pdf IPD060N03LGATMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPD060N03LGATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	23nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2400pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	56W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	IPD060N03LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3		0	подробности
	IPD060N03LGBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3		0	подробности