Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPB030N08N3 G

номер части	IPB030N08N3 G
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	160A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 155µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	117nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	8110pF @ 40V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	214W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 100A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7
Упаковка / чехол	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
IPB030N08N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7	-	11000	подробности
IPB030N08N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7	-	34620	подробности
IPB031N08N5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V TO263-3		1000	подробности
IPB031NE7N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3	-	0	подробности
IPB032N10N5ATMA1	Infineon Technologies	DIFFERENTIATED MOSFETS	-	0	подробности
IPB033N10N5LFATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V D2PAK-3		0	подробности
IPB034N03L G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3		0	подробности
IPB034N03LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3	-	82090	подробности
IPB034N06L3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3	-	2000	подробности
IPB034N06L3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3	-	80568	подробности
IPB034N06N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7		0	подробности
IPB035N08N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3	-	0	подробности