FT150R12KE3G_B4

IGBT FT150R12KE3GB4NOSA1
FT150R12KE3G_B4 P1
FT150R12KE3G_B4 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FT150R12KE3G_B4

номер части
FT150R12KE3G_B4
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT FT150R12KE3GB4NOSA1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FT150R12KE3G_B4 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FT150R12KE3G_B4
Статус детали Obsolete
Тип IGBT -
конфигурация Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 200A
Мощность - макс. 700W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 10.5nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты