| номер части | DF23MR12W1M1B11BPSA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 1200V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 25A (Tj) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 15V (Typ) |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 62nC @ 15V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1840pF @ 800V |
| Мощность - макс. | 20mW |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | Module |
| Пакет устройств поставщика | AG-EASY1BM-2 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MODULE 1200V 25A | - | 703 | подробности |
|
DF23MR12W1M1B11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOD 1200V 25A | - | 666 | подробности |
