BYM300B170DN2HOSA1

MOD IGBT MED POWER 62MM-1
BYM300B170DN2HOSA1 P1
BYM300B170DN2HOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BYM300B170DN2HOSA1

номер части
BYM300B170DN2HOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOD IGBT MED POWER 62MM-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- BYM300B170DN2HOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BYM300B170DN2HOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация 2 Independent
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 40A
Мощность - макс. 20mW
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 25A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 40µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты