Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BSP170PH6327XTSA1

номер части: BSP170PH6327XTSA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BSP170PH6327XTSA1.pdf BSP170PH6327XTSA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	BSP170PH6327XTSA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.9A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	14nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	410pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.8W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.9A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-SOT223-4
Упаковка / чехол	TO-261-4, TO-261AA

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
BSP170PE6327	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223	-	0	подробности
BSP170PE6327T	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223	-	0	подробности
BSP170PH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223		5000	подробности
BSP170PL6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223	-	0	подробности