| номер части | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Ta), 85A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 27µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3700pF @ 20V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 50A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC0500NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 | 0 | подробности | |
 |
BSC0501NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON | 0 | подробности | |
 |
BSC0502NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8 | 0 | подробности | |
 |
BSC0503NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8 | 0 | подробности | |
 |
BSC0504NSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8 | 0 | подробности | |
 |
BSC050N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 | - | 60000 | подробности |
 |
BSC050N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 | - | 61066 | подробности |
 |
BSC050N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 | - | 5000 | подробности |
 |
BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8 | - | 20000 | подробности |
 |
BSC050N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 100V | - | 50505 | подробности |
 |
BSC050NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | - | 85000 | подробности |
 |
BSC050NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | - | 160485 | подробности |
