| номер части | BSC046N10NS3GATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 17A (Ta), 100A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 4500pF @ 50V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 156W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC046N02KS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | - | 0 | подробности |
 |
BSC046N02KSGAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 | - | 113651 | подробности |
 |
BSC046N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 | - | 30000 | подробности |
