BOM

BAR 65-02L E6327

DIODE RF SGL 30V 100MA TSLP-2
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Диоды - РФ › BAR 65-02L E6327
BAR 65-02L E6327 P1
BAR 65-02L E6327 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BAR 65-02L E6327

номер части
BAR 65-02L E6327
производитель
Infineon Technologies
Описание
DIODE RF SGL 30V 100MA TSLP-2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- BAR 65-02L E6327 PDF online browsing
семья
Диоды - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BAR 65-02L E6327
Статус детали Obsolete
Тип диода PIN - Single
Напряжение - Реверс пика (макс.) 30V
Текущий - Макс. 100mA
Емкость @ Vr, F 0.8pF @ 3V, 1MHz
Сопротивление @ Если, F 900 mOhm @ 10mA, 100MHz
Рассеиваемая мощность (макс.) 250mW
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Упаковка / чехол SOD-882
Пакет устройств поставщика PG-TSLP-2

сопутствующие товары

Все продукты

Образ номер части Производители Описание PDF В наличии Посмотреть
BAR 65-02L E6327 BAR 65-02L E6327 Infineon Technologies DIODE RF SGL 30V 100MA TSLP-2 - 0 подробности
BAR 65-02V E6327 BAR 65-02V E6327 Infineon Technologies DIODE RF SGL 30V 100MA SC-79 - 0 подробности
BAR 65-02V H6327 BAR 65-02V H6327 Infineon Technologies DIODE RF PIN 30V 100MA SC79 - 0 подробности