Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ AIHD06N60RATMA1

номер части: AIHD06N60RATMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: IC DISCRETE 600V TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: AIHD06N60RATMA1.pdf AIHD06N60RATMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - IGBT - Single

номер части	AIHD06N60RATMA1
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	12A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	18A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 6A
Мощность - макс.	100W
Энергия переключения	110µJ (on), 220µJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	48nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	12ns/127ns
Условия тестирования	400V, 6A, 23 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	-
Рабочая Температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
AIHD03N60RFATMA1	Infineon Technologies	IC DISCRETE 600V TO252-3	подробности
AIHD04N60RATMA1	Infineon Technologies	IC DISCRETE 600V TO252-3	подробности
AIHD04N60RFATMA1	Infineon Technologies	IC DISCRETE 600V TO252-3	подробности
AIHD06N60RATMA1	Infineon Technologies	IC DISCRETE 600V TO252-3	подробности
AIHD06N60RFATMA1	Infineon Technologies	IC DISCRETE 600V TO252-3	подробности