| номер части | KBJ2502G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 25A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.05V @ 12.5A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 200V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | 4-SIP, KBJ |
| Пакет устройств поставщика | KBJ |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
KBJ1010G-BP | Micro Commercial Co | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A KBJ | - | 62723 | подробности |
 |
KBJ25005G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 25A KBJ | 0 | подробности | |
|
KBJ2501G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 25A KBJ | 0 | подробности | |
|
KBJ2502G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 200V 25A KBJ | 0 | подробности | |
|
KBJ2504G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 400V 25A KBJ | 0 | подробности | |
|
KBJ2506G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 600V 25A KBJ | 0 | подробности | |
|
KBJ2508G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 800V 25A KBJ | 0 | подробности | |
|
KBJ2510G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 1000V 25A KBJ | 0 | подробности | |
 |
KBJ4005G | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 4A 50V KBJ | - | 14 | подробности |
 |
KBJ401G | Diodes Incorporated | RECTIFIER BRIDGE GPP 100V 4A KBJ | - | 0 | подробности |
 |
KBJ402G | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 4A 200V KBJ | - | 21 | подробности |
 |
KBJ404G | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 4A 400V KBJ | - | 36 | подробности |
