FDD10N20LZTM

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
FDD10N20LZTM P1
FDD10N20LZTM P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDD10N20LZTM

номер части
FDD10N20LZTM
производитель
Fairchild/ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FDD10N20LZTM PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FDD10N20LZTM
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 585pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 83W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 3.8A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика TO-252, (D-Pak)
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты