DMT3006LFG-7

MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI
DMT3006LFG-7 P1
DMT3006LFG-7 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ DMT3006LFG-7

номер части
DMT3006LFG-7
производитель
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- DMT3006LFG-7 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части DMT3006LFG-7
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 16A (Ta), 55.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22.6nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1320pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 27.8W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 12A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PowerDI3333-8
Упаковка / чехол 8-PowerVDFN

сопутствующие товары

Все продукты