DMN6066SSD-13

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
DMN6066SSD-13 P1
DMN6066SSD-13 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ DMN6066SSD-13

номер части
DMN6066SSD-13
производитель
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- DMN6066SSD-13 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части DMN6066SSD-13
Статус детали Active
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Функция FET Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.3A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 66 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10.3nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 502pF @ 30V
Мощность - макс. 1.8W
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика 8-SOP

сопутствующие товары

Все продукты