Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLM8G0710S-60PBY

номер части: BLM8G0710S-60PBY
производитель: Ampleon USA Inc.
Описание: RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLM8G0710S-60PBY.pdf BLM8G0710S-60PBY PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLM8G0710S-60PBY
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS (Dual)
частота	957.5MHz
Усиление	36.2dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	60mA
Выходная мощность	6W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-1211-2
Пакет устройств поставщика	16-HSOPF

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
BLM8G0710S-15PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122	0	подробности
BLM8G0710S-15PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112	100	подробности
BLM8G0710S-30PBGY	Ampleon USA Inc.	IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOP	0	подробности
BLM8G0710S-30PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	200	подробности
BLM8G0710S-45ABGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122	0	подробности
BLM8G0710S-45ABY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	100	подробности
BLM8G0710S-60PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122	0	подробности
BLM8G0710S-60PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112	0	подробности