Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLM7G22S-60PBY

номер части: BLM7G22S-60PBY
производитель: Ampleon USA Inc.
Описание: RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLM7G22S-60PBY.pdf BLM7G22S-60PBY PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLM7G22S-60PBY
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS (Dual)
частота	2.14GHz
Усиление	31.5dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	75mA
Выходная мощность	1.6W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-1212-1
Пакет устройств поставщика	16-HSOP

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
BLM7G1822S-20PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121	100	подробности
BLM7G1822S-20PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12111	100	подробности
BLM7G1822S-40ABGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12122	100	подробности
BLM7G1822S-40ABY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12112	100	подробности
BLM7G1822S-40PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121	0	подробности
BLM7G1822S-40PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111	0	подробности
BLM7G1822S-80ABGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12121	100	подробности
BLM7G1822S-80ABY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111	100	подробности
BLM7G1822S-80PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122	0	подробности
BLM7G1822S-80PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122	0	подробности
BLM7G22S-60PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121	0	подробности
BLM7G22S-60PBY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121	0	подробности