Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLF8G27LS-100J

номер части: BLF8G27LS-100J
производитель: Ampleon USA Inc.
Описание: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLF8G27LS-100J.pdf BLF8G27LS-100J PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLF8G27LS-100J
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS
частота	2.5GHz ~ 2.7GHz
Усиление	17dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	900mA
Выходная мощность	25W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-502B
Пакет устройств поставщика	SOT502B

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
BLF8G09LS-270GWJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C	0	подробности
BLF8G09LS-270GWQ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C	0	подробности
BLF8G09LS-270WJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B	0	подробности
BLF8G09LS-270WU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B	0	подробности
BLF8G09LS-400PGWJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C	100	подробности
BLF8G09LS-400PGWQ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C	60	подробности
BLF8G09LS-400PWJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B	100	подробности
BLF8G09LS-400PWU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B	0	подробности
BLF8G10L-160,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A	0	подробности
BLF8G10L-160,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A	0	подробности
BLF8G10LS-160,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B	0	подробности
BLF8G10LS-160,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B	0	подробности