Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLF8G24L-200P,118

номер части: BLF8G24L-200P,118
производитель: Ampleon USA Inc.
Описание: RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLF8G24L-200P,118.pdf BLF8G24L-200P,118 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLF8G24L-200P,118
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS (Dual), Common Source
частота	2.3GHz ~ 2.4GHz
Усиление	17.2dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	1.74A
Выходная мощность	60W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT539A
Пакет устройств поставщика	SOT539A

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
BLF8G20LS-140GVJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B		0	подробности
BLF8G20LS-140GVQ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B		0	подробности
BLF8G20LS-140VJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B	-	0	подробности
BLF8G20LS-140VU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B	-	0	подробности
BLF8G20LS-160VJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B		0	подробности
BLF8G20LS-160VU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B		0	подробности
BLF8G20LS-200V	Ampleon USA Inc.	RF FET	-	17649	подробности
BLF8G20LS-200V,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B		60	подробности
BLF8G20LS-200V,115	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B		0	подробности
BLF8G20LS-200V,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B		0	подробности
BLF8G20LS-220J	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B		0	подробности
BLF8G20LS-220U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B		0	подробности