Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLF7G27LS-150P,112

номер части: BLF7G27LS-150P,112
производитель: Ampleon USA Inc.
Описание: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLF7G27LS-150P,112.pdf BLF7G27LS-150P,112 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLF7G27LS-150P,112
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS (Dual), Common Source
частота	2.5GHz ~ 2.7GHz
Усиление	16.5dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	37A
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	1.2A
Выходная мощность	30W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT539B
Пакет устройств поставщика	CDFM4

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
BLF7G20L-200,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A	0	подробности
BLF7G20L-200,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A	0	подробности
BLF7G20L-250P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A	0	подробности
BLF7G20L-250P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A	0	подробности
BLF7G20L-90P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A	0	подробности
BLF7G20L-90P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A	0	подробности
BLF7G20LS-140P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B	0	подробности
BLF7G20LS-140P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B	0	подробности
BLF7G20LS-200,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	0	подробности
BLF7G20LS-200,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	100	подробности
BLF7G20LS-250P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B	0	подробности
BLF7G20LS-250P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B	0	подробности