Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Ampleon USA Inc. ~ BLF7G22LS-130,112

номер части: BLF7G22LS-130,112
производитель: Ampleon USA Inc.
Описание: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLF7G22LS-130,112.pdf BLF7G22LS-130,112 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLF7G22LS-130,112
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS
частота	2.11GHz ~ 2.17GHz
Усиление	18.5dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	28A
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	950mA
Выходная мощность	30W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-502B
Пакет устройств поставщика	SOT502B

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
BLF7G20L-200,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A	0	подробности
BLF7G20L-200,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A	0	подробности
BLF7G20L-250P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A	0	подробности
BLF7G20L-250P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A	0	подробности
BLF7G20L-90P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A	0	подробности
BLF7G20L-90P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A	0	подробности
BLF7G20LS-140P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B	0	подробности
BLF7G20LS-140P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B	0	подробности
BLF7G20LS-200,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	0	подробности
BLF7G20LS-200,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	100	подробности
BLF7G20LS-250P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B	0	подробности
BLF7G20LS-250P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B	0	подробности