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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | SIZ200DT-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 28nC @ 10V, 30nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SIZ200DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V | - | 135214 | 詳細 |