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| 品番 | SIR696DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 125V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 7.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 38nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1410pF @ 75V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 104W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SIR690DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 34.4A SO8 | - | 0 | 詳細 |
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SIR690DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8 | - | 80309 | 詳細 |
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SIR696DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 125V 60A SO8 | - | 0 | 詳細 |
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SIR698DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8 | - | 0 | 詳細 |